(T- und Photo-NIL, T- und UV-NIL)

Bei dieser NIL-Technologie wird zuerst eine dünne Resistschicht auf einem Substrat abgeschieden. Diese Schicht ist zunächst fest. Im nächsten Schritt wird ein nanostrukturierter Stempel bei leicht erhöhter Temperatur mit geringem Druck in Kontakt mit der NIL-Resistschicht gebracht. Durch die Erwärmung wird der Resist fließfähig. Nach der vollständigen Füllung des nanostrukturierten Stempels wird durch Belichtung und anschließender photochemischer Härtung der Resist bei der erhöhten Temperatur vernetzt. Die anschließende Entformung des Stempels von der gehärteten Resistschicht kann ohne weiteren Abkühlungsschritt erfolgen (isothermer Imprint).In einem nachgelagerten Prozess erfolgt die Übertragung der geprägten Strukturen mittels Plasmaätzen in das Substrat.

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mr-NIL 6000E Serie